希爾硅晶片線切割后清洗劑由多種進口表面活性、緩蝕劑及其它助劑配制而成的水基清洗劑,針對硅晶片切割后拋光后殘留的硅粉、殘膠,氧化物和油污特別研制。清洗后晶片表面無白班,花斑、腐蝕等不良,適用于各種半導體硅片與硅晶片切割后清洗。
應用領(lǐng)域:主要用于太陽能電池硅晶片切割加工后的清洗,以及半導體芯片、晶圓切割后的清洗。
139-2572-1791
√ 專用于硅晶片材質(zhì),潔凈度高
√ 清洗后表面無花斑,無白斑
√ 清洗效果好,無殘留,不影響導電性能
√ 原液濃度高,槽液壽命長,可循環(huán)使用
√ 水基安全,低泡型,易漂洗,無殘留
√ 符合voc指標要求和歐盟RoHS認證
專用硅晶片清洗 無花斑白斑 易漂洗 環(huán)保無味不傷手
外觀 | 無色至微黃色液體 | 密度 | 1.00-1.10g/L |
pH | 10.0-11.5(工作液) | 安全 | 不可燃,無腐蝕 |
環(huán)保 | 無磷,不含鹵素,符合歐盟RoHS要求 |
恒溫清洗/超聲波清洗/平面線清洗
按比例稀釋成工作液后,加熱至40-60度,超聲波清洗4-6分鐘。對于重污垢工件,延長清洗時間或使用多槽多次方式徹底清洗干凈。
1、定期檢查槽液溫度、液位,及時補水及相應比例補加原液。
2、按規(guī)定時間定期更換槽液。